[1] M. Fischer, M. Woodhouse, S. Herritsch, J. Trube, International Technology Roadmap for Photovoltaic ( ITRPV ) 2020 Results, 2020 (VDMA Photovoltaic Equipment).
[2] B. Hoex, S. B. S. Heil, E. Langereis, M. C. M. v. d. Sanden, W. M. M. Kessels, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 042112.
[3] G. Dingemans, W. M. M. Kessels, J. Vac. Sci. Technol. A 2012, 30, 040802.
[4] J. Schmidt, B. Veith, R. Brendel, Phys. Status Solidi Rapid Res. Lett. 2009, 3, 287-289.
[5] D. K. Simon, P. M. Jordan, I. Dirnstorfer, F. Benner, C. Richter, T. Mikolajick, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2014, 131, 72-76.
[6] N. Batra, J. Gope, Vandana, J. Panigrahi, R. Singh, P. Singh, AIP Adv. 2015, 5, 067113.
[7] R. S. Bonilla, B. Hoex, P. Hamer, P. R. Wilshaw, Phys. Status Solidi A 2017, 214, 1700293.
[8] J. Schmidt, R. Peibst, R. Brendel, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2018, 187, 39-54.
[9] J. Schmidt, A. Merkle, R. Bock, P. Altermatt, A. Cuevas, N. Harder, B. Hoex, M. C. M. Sanden, W. M. M. Kessels, R. Brendel, Progress in the surface passivation of silicon solar cells, Proceedings 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference, Valencia, Spain, 2008, pp. 2DP.2.4-974-981.
[10] G. Dingemans, P. Engelhart, R. Seguin, F. Einsele, B. Hoex, V. d. Sanden, W. Kessels, J. Appl. Phys. 2009, 106, 114907.
[11] B. Shin, J. R. Weber, R. D. Long, P. K. Hurley, C. G. V. d. Walle, P. C. McIntyre, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 152908.
[12] D. Hiller, P. M. Jordan, K. Ding, M. Pomaska, T. Mikolajick, D. König, J. Appl. Phys. 2019, 125, 015301.
[13] D. König, D. Hiller, S. Gutsch, M. Zacharias, S. Smith, Sci. Rep. 2017, 7, 46703.
[14] B. Hoex, J. Schmidt, R. Bock, P. P. Altermatt, M. C. M. v. d. Sanden, W. M. M. Kessels, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 112107.
[15] D. K. Simon, P. M. Jordan, T. Mikolajick, I. Dirnstorfer, ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 28215-28222.
[16] T. Niewelt, A. Richter, T. C. Kho, N. E. Grant, R. S. Bonilla, B. Steinhauser, J. I. Polzin, F. Feldmann, M. Hermle, J. D. Murphy, S. P. Phang, W. Kwapil, M. C. Schubert, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2018, 185, 252-259.
[17] A. Cuevas, D. Yan, IEEE J. Photovolt. 2013, 3, 916-923.
[18] B. Hoex, J. J. H. Gielis, M. C. M. v. d. Sanden, W. M. M. Kessels, J. Appl. Phys. 2008, 104, 113703.
[19] H. Lee, T. Tachibana, N. Ikeno, H. Hashiguchi, K. Arafune, H. Yoshida, S.-i. Satoh, T. Chikyow, A. Ogura, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 143901.
[20] G. von Gastrow, S. Li, M. Putkonen, M. Laitinen, T. Sajavaara, H. Savin, Appl. Surf. Sci. 2015, 357, 2402-2407.
[21] A. Delabie, S. Sioncke, J. Rip, S. Van Elshocht, G. Pourtois, M. Mueller, B. Beckhoff, K. Pierloot, J. Vac. Sci. Technol. A 2011, 30, 01A127.
[22] D.-H. Kim, S.-B. Baek, Y.-C. Kim, Appl. Surf. Sci. 2011, 258, 225-229.
[23] A. M. Albadri, Thin Solid Films 2014, 562, 451-455.
[24] J. Schmidt, B. Veith, F. Werner, D. Zielke, R. Brendel, Silicon surface passivation by ultrathin Al2O3 films and Al2O3/SiNx stacks, 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Honolulu, Hawaii, 2010, pp. 000885-000890.
[25] M. N. Getz, M. Povoli, E. Monakhov, J. Appl. Phys. 2021, 129, 205701.
[26] K. R. McIntosh, L. E. Black, J. Appl. Phys. 2014, 116, 014503.
[27] C. M. Herzinger, B. Johs, W. A. McGahan, J. A. Woollam, W. Paulson, J. Appl. Phys. 1998, 83, 3323-3336.
[28] F. Campabadal, O. Beldarrain, M. Zabala, M. C. Acero, J. M. Rafí, Comparison between Al2O3 thin films grown by ALD using H2O or O3 as oxidant source, Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011, Palma de Mallorca, Spain, 2011, pp. 1-4.
[29] S. E. Potts, G. Dingemans, C. Lachaud, W. M. M. Kessels, J. Vac. Sci. Technol. A 2012, 30, 021505.
[30] K. DE, S. RM, 18th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Las Vegas 1985, 578.
[31] M. J. Kerr, A. Cuevas, J. Appl. Phys. 2002, 91, 2473-2480.
[32] G. Dingemans, V. d. Sanden, W. Kessels, Electrochem. Solid-State Lett. 2010, 13.
[33] H. Huang, J. Lv, Y. Bao, R. Xuan, S. Sun, S. Sneck, S. Li, C. Modanese, H. Savin, A. Wang, J. Zhao, Data in Brief 2017, 11, 19-26.
[34] G. Dingemans, N. M. Terlinden, M. A. Verheijen, M. C. M. v. d. Sanden, W. M. M. Kessels, J. Appl. Phys. 2011, 110, 093715.
[35] W. A. Hill, C. C. Coleman, Solid·State Electron. 1980, 23, 987-993.
[36] R. Hezel, K. Jaeger, J. Electrochem. Soc. 1989, 136, 518-523.
[37] J. Benick, A. Richter, T. A. Li, N. E. Grant, K. R. McIntosh, Y. Ren, K. J. Weber, M. Hermle, S. W. Glunz, Effect of a post-deposition anneal on Al2O3/Si interface properties, 2010 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Honolulu, Hawaii, 2010, pp. 000891-000896.
[38] R. L. Puurunen, J. Appl. Phys. 2005, 97, 121301.
[39] R. L. Puurunen, W. Vandervorst, W. F. A. Besling, O. Richard, H. Bender, T. Conard, C. Zhao, A. Delabie, M. Caymax, S. D. Gendt, M. Heyns, M. M. Viitanen, M. d. Ridder, H. H. Brongersma, Y. Tamminga, T. Dao, T. d. Win, M. Verheijen, M. Kaiser, M. Tuominen, J. Appl. Phys. 2004, 96, 4878-4889.
[40] M. M. Frank, Y. J. Chabal, M. L. Green, A. Delabie, B. Brijs, G. D. Wilk, M.-Y. Ho, E. B. O. d. Rosa, I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 740-742.
[41] D. D. M. Wayner, R. A. Wolkow, J. Chem. Soc., Perkin Trans. 2 2002, 23-34.
[42] B. Gokce, E. J. Adles, D. E. Aspnes, K. Gundogdu, Proceedings of the National Academy of Sciences 2010, 107, 17503-17508.
[43] N. E. Grant, A. I. Pointon, R. Jefferies, D. Hiller, Y. Han, R. Beanland, M. Walker, J. D. Murphy, Nanoscale 2020, 12, 17332-17341.
[44] Z. Chen, P. Dong, M. Xie, Y. Li, X. Yu, Y. Ma, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2019, 30, 1148-1152.
[45] S. W. Lim, F. Machuca, H. Liao, R. P. Chiarello, R. C. Helms, J. Electrochem. Soc. 2000, 147, 1136.
[46] A. Richter, J. Benick, A. Kimmerle, M. Hermle, S. W. Glunz, J. Appl. Phys. 2014, 116, 243501.
[47] J. Benick, B. Hoex, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, O. Schultz, S. W. Glunz, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 253504.
[48] M. Groner, F. Fabreguette, J. Elam, S. M. George, Chem. Mater. 2004, 16, 639-645.